Шалимова Физика Полупроводников 2010 Скачать PdfВ книжном интернет-магазине OZON можно купить учебник Физика полупроводников от издательства Лань. Кроме этого, в нашем книжном каталоге . Энциклопедия МИФИ > Шалимова Клавдия Васильевна. Физика полупроводников. Учебное пособие для студентов . В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки. Физика полупроводников. Первое издание «Физики полупроводников», выпущенное в 1969 г. Физика полупроводников. Шалимова Физика Полупроводников 2010 СкачатьРекомбинация (физика полупроводников) - это.. Что такое Рекомбинация (физика полупроводников)? Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий . При рекомбинации электрона проводимости и дырки, электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону. Добро пожаловать на сайт кафедры физики! Министерство связи и массовых коммуникаций РФ, Федеральное агентство связи 3е) Год выпуска: 1985 Автор: Шалимова К.В. Жанр: Физика твердого тела Язык: Русский. Предисловие Данная книга является третьим изданием учебника «Физика полупроводников». Физика полупроводников. Аннотация В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. При этом он теряет энергию . Поскольку в р области Э. Рекомбинация носителей заряда). В полупроводниках возможны следующие варианты. 1029 руб · Физика полупроводников, Клавдия Шалимова. В учебнике рассмотрены модельные . Физика полупроводников. В книжном интернет-магазине OZON можно купить учебник Физика полупроводников от издательства Лань. Кроме этого, в нашем книжном каталоге. Процесс осуществляется путём последоват. Полупроводники) под действием электромагнитного излучения. Помимо изложения традиционных вопросов оптики объемных фаз металлов, полупроводников и диэлектриков, анализируются особенности оптических явлений в твердотельных системах пониженной размерности, включая наноструктуры и композитные материалы, такие, как пористые полупроводники. Главное внимание уделяется оптическим и фотоэлектрическим свойствам объемных фаз полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности, таких как поверхности, границы раздела, наноструктуры, пористые материалы. Обсуждаются основные подходы к анализу нелинейно- оптических явлений в твердых телах, а также некоторые применения методов нелинейной оптики для диагностики твердотельных систем. Материалы лекций . Анализируется система уравнений Максвелла в среде с поглощением и решается полученное волновое уравнение. Вводятся понятия комплексных показателей преломления и диэлектрической проницаемости вещества. Отмечается взаимосвязь оптических характеристик среды. Рассмотрены явления отражения света от границы раздела двух сред. Дается представление об эллипсометри как методе анализа оптических свойств твердых тел. Далее излагаются основные положения классических моделей, описывающих оптические свойства металлов и диэлектриков. Вводится понятие локального поля, с помощью которого выводится выражение для оптической восприимчивости среды. Рассматриваются оптические явления, связанные с колебаниями атомов твердого тела. Вводятся понятия оптических и акустических фононов, как квантов колебания. Анализируются законы дисперсии для фононов и поляритонов. Подробно рассматриваются вопросы оптики полупроводников. С позиций квантовой теории твердого тела анализируются функции плотности состояний. Рассматриваются энергетическая зонная структура полупроводниковых кристаллов и закономерности поглощения света в прямозонных и непрямозонных полупроводниках. Затронуты явления поглощения света на примесных состояниях в полупроводниках. Значительное внимание уделяется описанию закономерностей экситонного поглощения света. Решается задача об энергетическом спектре экситона Ванье- Мотта. Рассмотрены многоэкситонные комплексы и эффекты коллективного взаимодействия в экситонном газе. Излагаются основные сведения о закономерностях испускания света в полупроводниках. Дается определение люминесценции. Последовательно рассматриваются межзонная излучательная рекомбинация, примесная и экситонная люминесценция. Излагаются подходы к описанию оптических свойств неоднородных твердотельных систем. Рассмотрены матричные и статистические гетеросистемы. Вводятся понятия эффективной среды и эффективная диэлектрическая проницаемость гетеросистемы. Рассмотрение ведется в электростатическом приближении, когда масштабы неоднородностей диэлектричесой функции полагаются много меньше длины волны света. Получены выражения для формулы Максвелла, соотношения Максвелла- Гарнеттта, основного уравнения теории эффективной среды – формулы Бруггемана. Рассматриваются показатель преломления статистической гетеросистемы, двулучепреломление формы и анизотропия поглощения (дихроизм). Анализируется частотная зависимость Друде- поглощения в нанокомпозитах. Обсуждается распространение света в периодических средах и фотонных кристаллах. Вводится понятие о фотонной запрещенной зоне и излагаются методы расчета оптических свойств фотонных кристаллов. Рассматриваются одномерные, двумерные и трехмерные фотонные кристаллы, а также квазипериодические фотонно- кристаллические среды и волноводы. Анализируется закон дисперсии света в фотонно- кристаллических структурах. Обсуждается использование фотонных кристаллов как брэгговских зеркал. Затронуты вопросы замедления света в фотонных кристаллах. Рассмотрено явление рассеяния света в твердых телах. Анализируется случаи динамических и статических флуктуаций показателя преломления. Вводятся понятия об упругом и неупругом рассеянии света. Рассмотрены случаи рассеяний Рэлея, Ми, Мандельштама- Бриллюэна. Основное внимание уделяется комбинационному (рамановскому) рассеянию. Анализируются интенсивности стоксовой и антистоксовой компонент рассеяния в зависимости от температуры. Рассмотрены особенности рассеяния света в поглощающих средах. Последовательно рассматривается влияние размеров тел на их оптические свойства. Вводится классификация низкоразмерных систем. Проведен анализ квантового размерного эффекта в квантовой яме с бесконечными стенками в приближении постоянной эффективной массы. Анализируется квантовый размерный эффект для квантовых нитей и точек. Вводятся функция плотности состояний для электронов в двумерных, одномерных и нульмерных системах. Рассмотрены особенности квантового размерного эффекта в реальных наноструктурах. Вводится понятие о дробной (фрактальной) размерности. Анализируется квантово- размерное изменение спектров поглощения и люминесценции твердотельных наноструктур. Рассмотрены методы формирования и примеры низкоразмерных систем и наноструктур. Приводятся сведения о механизме формирования квантовых точек Странского- Крастанова, а также о закономерностях получения и основных свойствах пористого кремния. Рассмотрены экситонные процессы в полупроводниковых наноструктурах. Анализируется влияние размерности полупроводника на энергию связи экситонов. Рассмотрены эффекты диэлектрического усиления экситонов, а также экситоны в гетероструктурах и сверхрешетках. Затронуты вопросы пространственной локализация экситонов и описания возбужденных и заряженных состояний экситонов. Далее проводится учет спинового состояния для энергии экситона. Обсуждаются величины энергии обменного взаимодействия, стоксов сдвиг и эффекты экситон- фононного взаимодействия для экситонов в нанокристаллах. Рассмотрены вопросы динамики экситонов в ансамблях полупроводниковых нанокристаллов. Излагаются феноменологические модели возбуждения и рекомбинации неравновесных носителей заряда с учетом связи между подсистемами экситонов и неравновесных фотовозбужденных носителей заряда. Анализируется зависимость концентрации экситонов от температуры, а также роль оже- рекомбинации и ударной ионизации в динамике рекомбинации экситонов в нанокристаллах. Затронут эффект мультиплицирования экситонов и его возможные применения. Анализируются времена жизни экситонов в ансамблях нанокристаллов, триплетные и синглетные экситоны, зависимость времени жизни экситонов от температуры, а также оптические свойства нанокомпозитов с учетом экситонных эффектов. Рассмотрены примеры оптоэлектронных устройств на квантовых ямах и сверхрешетках, а также лазеров на квантовых точках. Излагаются элементы спиновой оптики и спинтроники твердых тел и наноструктур. Рассмотрены явления спин- зависимой рекомбинации носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, эффекты спин- орбитального взаимодействия и оптической ориентации спинов. Анализируются фотогальванические спин- зависимые явления (циркулярный и линейный фотогальванические эффекты) в низкоразмерных системах. В курсе вводится понятие нелинейной поляризуемости вещества. Приводится классификация нелинейно- оптических явлений. Подробно рассмотрены случаи генерации второй оптической гармоники при отражении от границы раздела двух сред и при распространении в нелинейной среде. Вводится понятие фазового синхронизма и рассматриваются условия его реализации в средах с аномальной дисперсией и в двулучепреломляющих кристаллах. Рассмотрено явление вынужденного комбинационного рассеяния света. Анализируются особенности нелинейно- оптических явлений в твердотельных наноструктурах, таких как нанокомпозиты с анизотропией формы наноструктур и фотонно- кристаллические среды. Приведены примеры использования методов нелинейной оптики для исследования твердотельных наноструктур и наноматериалов. Содержание лекций. Скачать pdf- файл. Лекция 1. Основные понятия оптики конденсированных фаз вещества. Классификация твердых тел по размерности, электронным и оптическим свойствам. Уравнения Максвелла для среды с поглощением. Комплексные показатель преломления и диэлектрическая проницаемость. Соотношения Крамерса- Кронига. Отражение света от границы раздела двух сред. Понятие о брюстеровской спектроскопии уровней и элипсометрии. Особенности описания оптических свойств наносистем и нанокомпозитов. Лекция 2. Взаимодействие света с металлами и диэлектриками. Особенности электронного спектра металлов, полупроводников и диэлектриков. Поглощение и отражение света в металлах. Ориентационная, ионная и электронная поляризуемости диэлектриков. Уравнение Клаузиуса- Моссоти. Поглощение света на колебаниях решетки. Соотношение Лиддейна- Сакса- Теллера. Полоса остаточных лучей. Влияние граничных условий на колебательный спектр наноструктур и наночастиц. Поверхностные фононы. Лекция 3. Поглощение света в полупроводниках. Прямозонные и непрямозонные полупроводники. Прямые (вертикальные) и непрямые оптические переходы. Поглощение света при прямых переходах, комбинированная плотность состояний. Дипольно- разрешенные и запрещенные переходы. Поглощение света при непрямых переходах, виртуальные состояния. Температурная зависимость коэффициента поглощения. Особенности поглощения света в вырожденных полупроводниках. Эффект Бурштейна- Мосса. Лекция 4. Экситонное и примесное поглощение света. Влияние примесей на энергетический спектр полупроводника. Экситоны Френкеля и Ванье- Мотта. Спектр экситона Ванье- Мотта. Коллективные эффекты в системе экситонов: электронно- дырочная жидкость и электронно- дырочные капли. Фазовый переход Мотта. Взаимодействие света со свободными носителями заряда в полупроводниках с точки зрения квантовой теории твердого тела и классической модели Друде- Лоренца. Плазменный минимум отражения. Лекция 5. Эмиссия излучения из твердых тел. Тепловое излучение. Межзонная рекомбинация. Формула Шокли- Русбрека. Излучательная рекомбинация с участием мелких уровней. Донорно- акцепторные пары. Изоэлектронные ловушки. Люминесценция свободных экситонов, электронно- дырочной жидкости и электронно- дырочных капель. Лекция 6. Оптические явления в неоднородных твердотельных системах. Матричные и статистические гетеросистемы.
0 Comments
Leave a Reply. |
AuthorWrite something about yourself. No need to be fancy, just an overview. Archives
December 2016
Categories |